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J-GLOBAL ID：201202223277239872   整理番号：12A0346565

MnとCoをコドープしたGeエピタキシャル膜中のドーパントの分解の相関と形態

Correlation and Morphology of Dopant Decomposition in Mn and Co Codoped Ge Epitaxial Films

著者 (5件)： RILEY James R. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  PEREA Daniel E. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  HE Liang (Univ. North Carolina, North Carolina, USA) ,  TSUI Frank (Univ. North Carolina, North Carolina, USA) ,  LAUHON Lincoln J. (Northwestern Univ., Illinois, USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 1  ページ： 276-280  発行年： 2012年01月12日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： XRD研究が単一相の材料であることを示しているドープしたエピタキシャルGe薄膜中のMnとCoの不均一分布の原子プローブトモグラフィー(APT)解析を行った。APT再構成の外見検査から,まわりのマトリックスよりMnとCo含量が高い領域中へドーパントが偏析することが分かる。Co,MnとGe原子の濃度の度数分布解析によって,組成のゆらぎはランダム合金のものを超えることを示した。等濃度表面が生成しMnに富む領域の連結性を確立し,これが希薄磁性半導体のCurie温度を増大させると提案した。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *半導体薄膜 ,  *添加物効果 ,  ドーピング ,  マンガン ,  コバルト ,  不純物分布 ,  表面再構成 ,  表面偏析 ,  含有量 ,  化学組成 ,  *磁性半導体 ,  トモグラフィー ,  Curie温度 ,  磁気転移 ,  質量スペクトル ,  MBE成長 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,  原子プローブトモグラフィー

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (8件)： Mn ,  CO ,  Ge ,  エピタキシャル膜 ,  ドーパント ,  分解 ,  相関 ,  形態