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J-GLOBAL ID：201202223510204251   整理番号：12A1763468

Al₂O₃絶縁体を有するL_g=60nmリセスIn_0.7Ga_0.3As金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ

L_g = 60 nm recessed In_0.7Ga_0.3As metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with Al₂O₃ insulator

著者 (14件)： KIM D.-h. (Teledyne Scientific Co., Thousand Oaks, California 91360, USA) ,  DEL ALAMO J. A. (Microsystems Technol. Laboratories, MIT, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  ANTONIADIS D. A. (Microsystems Technol. Laboratories, MIT, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  LI J. (Intelligent Epitaxy Technol., Richardson, Texas 75081, USA) ,  KUO J.-m. (Intelligent Epitaxy Technol., Richardson, Texas 75081, USA) ,  PINSUKANJANA P. (Intelligent Epitaxy Technol., Richardson, Texas 75081, USA) ,  KAO Y.-c. (Intelligent Epitaxy Technol., Richardson, Texas 75081, USA) ,  CHEN P. (Teledyne Scientific Co., Thousand Oaks, California 91360, USA) ,  PAPAVASILIOU A. (Teledyne Scientific Co., Thousand Oaks, California 91360, USA) ,  KING C. (Teledyne Scientific Co., Thousand Oaks, California 91360, USA) ,  REGAN E. (Teledyne Scientific Co., Thousand Oaks, California 91360, USA) ,  URTEAGA M. (Teledyne Scientific Co., Thousand Oaks, California 91360, USA) ,  BRAR B. (Teledyne Scientific Co., Thousand Oaks, California 91360, USA) ,  KIM T.-w. (SEMATECH, Austin, Texus 78741, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 22  ページ： 223507-223507-4  発行年： 2012年11月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターにおいて,際立つ論理及び高周波数性能をもつサブ100nmリセスIn_0.7Ga_0.3As金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)について報告した。素子は,分子ビームエピタクシー(MBE)1nm InP層上のex situ原子層堆積(ALD)2nm Al₂O₃層を特徴とし,三重リセスプロセスを通して作製した。L_g=60nmMOSFETは,V_DS=0.5Vにおけるオン抵抗(R_ON)=220Ωμm,閾値スイング(S)=110mV/decade,及びドレイン誘起障壁低下(DIBL)=200mV/Vを,エンハンスメントモードとともに示した。より重要なことは,この素子が,如何なるIII-V MOSFET技術の中でも,V_DS=0.5Vにおいて記録最大相互コンダクタンス(g_{g_max})=2000μs/μm及び電流利得カットオフ周波数(f_T)=370GHzを示したことである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  半導体薄膜 ,  リン化インジウム ,  酸化アルミニウム ,  素子構造 ,  オン抵抗 ,  障壁 ,  相互コンダクタンス ,  遮断周波数
準シソーラス用語： *リセス構造 ,  閾値スイング ,  エンハンスメントモード ,  電流利得 ,  カットオフ周波数

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al2O3 ,  絶縁体 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ