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J-GLOBAL ID：201202223547649385   整理番号：12A0758727

トップシーディング法によるSiCの成長速度の数値解析

Numerical analysis of the velocity of SiC growth by the top seeding method

著者 (4件)： INUI F. (Res. Inst. for Applied Mechanics, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  GAO B. (Res. Inst. for Applied Mechanics, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  NAKANO S. (Res. Inst. for Applied Mechanics, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  KAKIMOTO K. (Res. Inst. for Applied Mechanics, Kyushu Univ., Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 348  号： 1  ページ： 71-74  発行年： 2012年06月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液成長過程におけるSiC結晶の成長速度を,Si-Cシステムの相図に関連した熱と質量移動のグローバルモデルに基づいて研究した。成長率を,種結晶への炭素のフラックスによって評価した。計算結果は,種結晶の温度が増加したとき,成長速度が増大するのを示した。成長速度の温度依存性はSi-Cシステムの相図によって主に決定された,しかし,炉における温度分布を変えることによってフローパターンはわずかしか改変されなかった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フラックス法 ,  *炭化ケイ素 ,  *状態図 ,  成長速度 ,  温度依存性 ,  *数値解析
準シソーラス用語： トップシーディング法

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (5件)： トップ ,  シーディング ,  SiC ,  成長速度 ,  数値解析