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J-GLOBAL ID:201202223702112300   整理番号:12A0777774

コア-シェルGaP/ZnOナノワイヤのための薄いGaドープZnO層の作製

Preparation of thin Ga-doped ZnO layers for core-shell GaP/ZnO nanowires
著者 (8件):
資料名:
巻: 258  号: 19  ページ: 7607-7611  発行年: 2012年07月15日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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MOVPEの蒸気-液体-固体モード下でGaP(111)B基板上に成長させたGaPナノワイヤ(NW)上での,RFスパッタリングによる薄いZnOシェルの形成を研究した。ZnO層は,10nmと120nmとの間の名目的な厚さを示した。SEM及びTEMキャラクタリゼーションは,ZnOシェルが,NWの表面を上部から底部まで完全に被覆していることを示した。ナノ結晶ウルツ鉱型ZnOシェルと閃亜鉛鉱型GaPNWコア-シェルとの間には,PN接合が形成された。PN接合のスペクトル応答は,光電流がほとんどZnOシェル層で生成されることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長  ,  酸化物薄膜  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  光伝導,光起電力 

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