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J-GLOBAL ID:201202223709351105   整理番号:12A1567259

レーザ光の照射されたGeにおけるSbの異常な輸送

Anomalous transport of Sb in laser irradiated Ge
著者 (9件):
資料名:
巻: 101  号: 17  ページ: 172110-172110-5  発行年: 2012年10月22日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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エキシマレーザによるアニーリング処理は,Ge中へのSbの混入を促進するのに非常に有効で,1×1021原子/cm3に至るSbの混入が可能である。しかし,Geがレーザ光照射によって融解した場合には,融解領域に過剰な空格子点が形成されることを実証する。形成されたこれらの空格子点は,濃度勾配に逆らって表面に向かうSbの逆拡散に繋がる場合においても更なるSb原子のシンクとして働くSbm-Vnから成る複合体を形成することによって,融解深さ領域におけるSbを電気的に不活性にすることが分かった。これらの結果は,Geを基本とする新しいマイクロ素子やオプトエレクトロニクス素子を開発するための基礎となる。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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レーザ照射・損傷  ,  固体中の拡散一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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