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J-GLOBAL ID：201202223730289193   整理番号：12A1727977

反応性スパッタリングにより蒸着した高伝導率非ドープ酸化錫薄膜の電荷輸送機構

Charge transport mechanism in high conductivity undoped tin oxide thin films deposited by reactive sputtering

著者 (3件)： BANSAL Shikha ,  PANDYA Dinesh K. ,  KASHYAP Subhash C.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 524  ページ： 30-34  発行年： 2012年12月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板温度350~450°Cでスパッタ蒸着した(110)配向多結晶酸化錫薄膜(厚み<100nm)の低温における電荷輸送機構を報告する。350°Cで電気伝導率が11Ω^-1cm^-1の酸化膜が得られた。基板温度が上昇するとHall移動度は6.7から13.9cm²/Vsに上昇し,キャリア濃度は11×10¹⁸から70.9×10¹⁸cm^-3へ低下した。電気伝導の活性化エネルギーは基板温度上昇と共に増大した。成長温度上昇と共に酸素空格子点状態の系統的局在を示唆した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 反応性スパッタリング ,  *酸化スズ ,  基板温度 ,  温度依存性 ,  電気伝導率 ,  酸化膜 ,  Hall移動度 ,  キャリア密度 ,  活性化エネルギー ,  空格子点 ,  *薄膜成長 ,  *ホッピング伝導 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  電荷輸送

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 反応性スパッタリング ,  蒸着 ,  伝導率 ,  ドープ ,  酸化錫 ,  薄膜 ,  電荷輸送