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J-GLOBAL ID：201202223737692139   整理番号：12A0664574

ペリレン薄膜トランジスターのための新たな誘電体表面修飾の設計

Design of Novel Dielectric Surface Modifications for Perylene Thin-Film Transistors

著者 (7件)： EFFERTZ Christian (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  LAHME Stefan (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  SCHULZ Philip (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  SEGGER Ingolf (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  WUTTIG Matthias (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  CLASSEN Arno (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  BOLM Carsten (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 22  号： 2  ページ： 415-420  発行年： 2012年01月25日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜トランジスター(OTFTs)の移動度とオン/オフ比の改善に誘電体の表面改質が検討されている。本研究では,ペリレンOTFTのための新たな誘電体表面修飾(DSM)の設計を行い,その有効性を確認した。DSMをSiO₂/n型Si基板上に堆積し,さらにペリレン層をPVD法で堆積後金電極を付けることでTFTを作製した。DSM膜の表面エネルギーおよび誘電体であるSiO₂との密着性とTFTs特性の関係を調べた。終端基の異なるトリデシルトリクロロシラン(TTS)誘導体をDSMとして用いた。DSMとSiO₂との密着性を理論計算し,XRDおよびSEMによる膜評価と比較した。密着性の制御により高品位DSM膜が得られ,その結果,高い電荷移動度を有するTFTが得られることを示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  誘電体 ,  表面処理 ,  化学修飾 ,  シラン誘導体 ,  付着力 ,  キャリア移動度 ,  表面構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  芳香族縮合炭化水素

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： ペリレン

タイトルに関連する用語 (5件)： ペリレン ,  薄膜トランジスター ,  誘電体 ,  表面修飾 ,  設計