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J-GLOBAL ID:201202223745278171   整理番号:12A0612409

太陽電池用のCu2ZnSn(S,Se)4薄膜の成長と評価

Growth and characterization of Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films for solar cells
著者 (9件):
資料名:
巻: 101  ページ: 147-153  発行年: 2012年06月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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薄膜太陽電池の吸収層として,それぞれ約1.45eVと1.0eVのバンドギャップエネルギーをもつCu2ZnSnS4(CZTS)とCu2ZnSnSe4(CZTSe)が利用されている。両化合物の混合Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)を利用すると,バンドギャップの調整が可能である。後者の物質は既に10.1%に達しる太陽電池効率などの有望な結果が知られている。この研究では,CZTSSe薄膜を成長して,その構造を調べて,最良な成長先行体を確立した。大部分の試料で,走査型電子顕微鏡ミクログラフは開放型柱状構造を示し,また,断面のエネルギー分散X線分光法による組成プロファイルは,異なるセレン勾配を示した。X線回折図から,ケスタナイト/亜すず酸(112)ピークの異なるシフトが見られ,これはCZTSSeの存在を示唆した。Raman散乱分析から,全ての試料が微量のCZTSとCZTSSeを含むと結論した。X線回折とRaman散乱を利用してCZTSSe層の組成を評価して,両結果を比べた。すでに形成されたZnSおよび(または)CZTSを持つ先行体よりも,3元Cu-Sn-S相と金属性Znを含む先行体内にSeが一層容易に拡散できると結論した。また,X線回折とRaman散乱を利用して,CZTSSe試料内のS対Seの比を評価できることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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