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J-GLOBAL ID：201202223829197460   整理番号：12A0055596

2価陽イオンドープGaN光触媒の発光分光

Emission spectroscopy of divalent-cation-doped GaN photocatalysts

著者 (12件)： HIRAI Takeshi (Res. Center for Solar Energy Chemistry, Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  HARADA Takashi (Res. Center for Solar Energy Chemistry, Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  IKEDA Shigeru (Res. Center for Solar Energy Chemistry, Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  MATSUMURA Michio (Res. Center for Solar Energy Chemistry, Osaka Univ., 1-3 Machikaneyama-cho, Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN) ,  SAITO Nobuo (Dep. of Materials Sci. and Technol., Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN) ,  NISHIYAMA Hiroshi (Dep. of Materials Sci. and Technol., Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN) ,  INOUE Yasunobu (Dep. of Materials Sci. and Technol., Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, JPN) ,  HARADA Yoshiyuki (Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka, Osaka 535-8585, JPN) ,  OHNO Nobuhito (Fundamental Electronics Res. Inst., Osaka Electro-Communication Univ., 18-8 Hatsu-cho, Neyagawa, Osaka 572-8530, JPN) ,  MAEDA Kazuhiko (Dep. of Chemical System Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  KUBOTA Jun (Dep. of Chemical System Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  DOMEN Kazunari (Dep. of Chemical System Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 110  号： 11  ページ： 113526  発行年： 2011年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全面的な光触媒水分解を促進する2価陽イオン(Mg²⁺,Zn²⁺およびBe²⁺)をドープしたGaN粒子の光ルミネセンス(PL)および時間分解光ルミネセンス(TRPL)スペクトルを調べた。PLおよびTRPLスペクトルは主として2価陽イオンドーパントと原材料から故意にではなく導入された2価陰イオン不純物(O^2-およびS^2-)との間のドナー-アクセプター対再結合に帰着された。2価陽イオンドーパントと2価陰イオン不純物は,それぞれアクセプターおよびドナー準位を形成する。これらの準位は光触媒反応のために要求される正孔と電子を供給する可能性があり,全面的水分解のためのGaNベース光触媒の光触媒活性に寄与する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *光触媒 ,  *分解反応 ,  光分解 ,  *ドーピング ,  マグネシウム ,  亜鉛 ,  ベリリウム ,  光ルミネセンス ,  *ドナー-アクセプタ対 ,  カチオン ,  不純物 ,  *水分解 ,  時間分解光ルミネセンス

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 2価陽イオン ,  ドープ ,  GaN ,  光触媒 ,  発光分光