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J-GLOBAL ID：201202223833397911   整理番号：12A0338972

フッ素化アルキルホスホン酸SAMsはポリマ半導体デバイス中のPEDOT:PSSを置換する

Fluorinated alkyl phosphonic acid SAMs replace PEDOT:PSS in polymer semiconductor devices

著者 (2件)： WANG Mingqing (Dep. of Physics, Dalhousie Univ., Halifax, NS, Canada B3H 4R2) ,  HILL Ian G. (Dep. of Physics, Dalhousie Univ., Halifax, NS, Canada B3H 4R2)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 13  号： 3  ページ： 498-505  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素化ホスホン酸はイリジウムスズ酸化物アノード上に自己集積して単分子層(SAMs)を形成し,Kelvinプローブにより仕事関数はPEDOT:PSSよりも0.15-0.4eV大きくなる。単分子層成長の動力学を調べ,被覆の程度を明らかにするためX線光電子分光及び水接触角測定を用いた。非修飾ITO,SAM修飾ITO及びITO上のPEDOT:PSSを用いてホールのみのデバイス及び白色ポリマ発光ダイオードを正孔注入に対するフッ素化SAMsの影響を調べるため組み立てた。正孔のみのデバイスはPEDOT:PSSと比べて改善された正孔注入を示した。純粋なITOアノードを用いた発光ダイオードと比べてSAM-修飾デバイスは改善された電荷注入,10倍高い発光効率を示した。PEDOT:PSSを用いたデバイスと比べてSAM修飾デバイスはやや大きなターンオン電圧であったが改善された輝度及び発光効率を示した。これらの材料はPLEDsにおける正孔注入層としてPEDOT:PSSを置換する適当な候補である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *ポリエチレンジオキシチオフェン ,  *ポリスチレンスルホン酸 ,  *ポリマブレンド ,  接触角 ,  X線光電子分光法 ,  単分子層 ,  キャリア注入 ,  発光ダイオード ,  自己組織化 ,  *ホスホン酸 ,  *高分子半導体
準シソーラス用語： *PEDOT:PSS ,  正孔注入 ,  半導体デバイス

分類 (1件)： 高分子固体のその他の性質  (CG02025L)

物質索引 (3件)： 3,3,4,4,5,5,6,6,6-ノナフルオロヘキシルホスホン酸 ,  3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-トリデカフルオロオクチルホスホン酸 ,  3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-ヘニコサフルオロドデシルホスホン酸

タイトルに関連する用語 (7件)： フッ素化アルキル ,  ホスホン酸 ,  ポリマ ,  半導体デバイス ,  PEDOT ,  PSS ,  置換