文献

J-GLOBAL ID：201202223845417896   整理番号：12A0670039

強磁性GaMnAsとドープのないGaAs二重量子井戸ヘテロ構造におけるスピン依存トンネリング輸送

Spin-dependent tunneling transport in a ferromagnetic GaMnAs and un-doped GaAs double-quantum-well heterostructure

著者 (3件)： MUNETA Iriya (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  OHYA Shinobu (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TANAKA Masaaki (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 16  ページ： 162409-162409-3  発行年： 2012年04月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： われわれは強磁性GaMnAsとドープのないGaAs二重量子井戸ヘテロ構造におけるスピン依存のトンネリング輸送について研究した。GaAs量子井戸(QW)における強い共鳴トンネリングのために明確なトンネル磁気抵抗(TMR)と負の差動抵抗がこのデバイスの中で検証されている。われわれはTMRがdI/dV-Vなる特性に従うバイアス電圧の関数として振動しTMRは共鳴トンネリングが発生するところのバイアス電圧では負になることを示している。これらの結果は平行と反平行の磁化の間でGaMnAs/AlAs/GaMnAs-QWの表面で構成された磁気トンネル接合におけるポテンシャル降下の相異によって説明できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強磁性半導体 ,  *多重量子井戸 ,  素子構造 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ドーピング ,  マンガン ,  半導体薄膜 ,  共鳴トンネル効果 ,  *磁気抵抗 ,  トンネル接合 ,  トンネル効果
準シソーラス用語： *二重量子井戸 ,  ヘテロ構造 ,  共鳴トンネリング ,  *トンネル磁気抵抗 ,  スピン依存トンネリング ,  磁気トンネル接合

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 強磁性 ,  ドープ ,  GaAs ,  二重量子井戸 ,  ヘテロ構造 ,  スピン ,  トンネリング ,  輸送