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J-GLOBAL ID：201202223972146915   整理番号：12A1510438

パーコレーションカーボンナノチューブネットワークにおける伝導度と1/f雑音にたいする界面活性剤の影響の測定とシミュレーション

Measurements and Simulations of Surfactant’s Impact on the Conductivity and the 1/f Noise in Percolation Carbon Nanotube Networks

著者 (5件)： SASSINE Gilbert (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA) ,  MARTINEZ Frederic (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA) ,  EL KHOURY Micheline (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA) ,  PASCAL Fabien (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA) ,  HOFFMANN Alain (Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 10  ページ： 2803-2808  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D CNT膜の電気特性と1/f雑音を調べた。まず,ナノチューブ密度とデポジットした層の均一性の関数として,二種類の界面活性剤にたいする伝導度と1/f雑音を測定した。実験で,パーコレーション過程が伝導度と雑音に影響する基本的な物理機構であり,構造の均一性に強く依存していることを確立した。理論的に,CNT物理に基づいてモンテカルロ分布を使い,2D膜の伝導度と1/f雑音をシミュレートする数値モデルを開発した。雑音源はナノチューブ間の接合にあると仮定した。ネットワークを記述しdcと雑音特性を得るのに修正節点解析を用いた。このモデルは実験結果と一致して不均一構造をシミュレート出来る。シミュレーションと実験結果を比較して,チューブ間の接合が雑音発生源という仮定が,ナノチューブクラスタの存在に拘わらずトータルのナノチューブ膜1/f雑音を支配することが判明した。

シソーラス用語： パーコレーション ,  *カーボンナノチューブ ,  *1/f雑音 ,  界面活性剤 ,  シミュレーション ,  電気特性 ,  数学モデル ,  *電気伝導率 ,  雑音特性
準シソーラス用語： 雑音源 ,  数値モデル ,  電導度

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 伝導度 ,  雑音 ,  界面活性剤 ,  シミュレーション