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J-GLOBAL ID：201202224042449000   整理番号：12A0593557

噴霧熱分解法によって作製されたナノ構造CuS薄膜の光学的及び電気的性質に及ぼす基板温度と銅対硫黄モル比の研究

An investigation on substrate temperature and copper to sulphur molar ratios on optical and electrical properties of nanostructural CuS thin films prepared by spray pyrolysis method

著者 (3件)： ADELIFARD Mehdi (Dep. of Physics, Shahrood Univ. of Technol., Shahrood 316-36155, IRN) ,  ESHGHI Hosein (Dep. of Physics, Shahrood Univ. of Technol., Shahrood 316-36155, IRN) ,  MOHAGHEGHI Mohamad Mehdi B (School of Physics, Damghan Univ., Damghan, IRN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 15  ページ： 5733-5738  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化銅(CuS)薄膜を異なるCu対Sモル比(0.33と0.43)の酢酸第二銅とチオ尿素の水溶液を用いて260,285,310°Cの異なる基板温度で噴霧熱分解法によってガラス基板上に堆積した。XRD,UV-可視透過率/反射率,PLスペクトル,Hall効果測定を用いて構造的,光学的,電気的特性評価を行った。これら特性評価からアモルファス性を示す1つの例外を除いて,(102)面に優先配向する多結晶性単相(コベライト)CuSの形成が示された。光学的研究から堆積層は可視領域で(5×10⁴cm^-1から1×10⁵cm^-1)の相対的に高い吸収係数を有し,実効光学的バンドギャップは~2.4-2.6eVであることが示された。Hall測定データはすべての成長試料が正孔濃度が~1.8×10²⁰cm^-3から1.7×10²¹cm^-3の縮退型p型伝導度を有することを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化銅 ,  *半導体薄膜 ,  モル比 ,  X線回折 ,  透過率 ,  反射率 ,  光ルミネセンス ,  Hall移動度 ,  *多結晶 ,  吸収係数 ,  *光学ギャップ ,  *電気伝導率 ,  化合物半導体 ,  *光学定数
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  噴霧熱分解法

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (11件)： 噴霧熱分解法 ,  作製 ,  ナノ構造 ,  薄膜 ,  光学 ,  電気的性質 ,  基板温度 ,  銅 ,  硫黄 ,  モル比 ,  研究