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J-GLOBAL ID:201202224062789185   整理番号:12A0584265

反応性RFマグネトロンスパッタリングによって蒸着されたTaSiN薄膜の特性

Properties of TaSiN thin films deposited by reactive radio frequency magnetron sputtering
著者 (2件):
資料名:
巻: 520  号: 13  ページ: 4497-4500  発行年: 2012年04月30日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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TaSiN薄膜を,アルゴン/N2雰囲気中でTaSiとTaSi2.7ターゲットを使用して,反応性RFマグネトロンスパッタリングによって成長した。蒸着直後のTaSiN薄膜は無定形である。結晶化温度は700°C以上で,窒素含有量とともに増加する。金属伝導とオーミック性の振舞いを示した。蒸着直後の膜の抵抗率は,10-6Ωmから10-3Ωmの範囲で,窒素含有量の増加とともに上昇した。中間にPt層を導入することにより,p++-Si/Pt/Ta21Si57N21スタックは700°Cにおいて,良好な導電性および良好な耐熱性を持っていた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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金属の電子伝導一般  ,  金属薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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