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J-GLOBAL ID：201202224066628844   整理番号：12A0340848

InAs/GaAs量子ドットの光学異方性に対するインフラッシュの効果

The effect of In-flush on the optical anisotropy of InAs/GaAs quantum dots

著者 (7件)： MOLAS M. (Inst. of Experimental Physics, Fac. of Physics, Univ. of Warsaw, ul. Hoza 69, 00-681 Warsaw, POL) ,  GOLASA K. (Inst. of Experimental Physics, Fac. of Physics, Univ. of Warsaw, ul. Hoza 69, 00-681 Warsaw, POL) ,  KULDOVA K. (Inst. of Physics of the AS CR, Cukrovarnicka 10/112, CZ-162 00 Praha 6, CZE) ,  BORYSIUK J. (Inst. of Experimental Physics, Fac. of Physics, Univ. of Warsaw, ul. Hoza 69, 00-681 Warsaw, POL) ,  BABINSKI A. (Inst. of Experimental Physics, Fac. of Physics, Univ. of Warsaw, ul. Hoza 69, 00-681 Warsaw, POL) ,  LAPOINTE J. (Inst. for Microstructural Sciences, National Res. Council, Ottawa, Ontario K1A 0R6, CAN) ,  WASILEWSKI Z. R. (Inst. for Microstructural Sciences, National Res. Council, Ottawa, Ontario K1A 0R6, CAN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 3  ページ： 033510  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/GaAs量子ドット(QD)の光学異方性に対するインフラッシュ技術の効果をしらべた。異方性を,QDに閉じ込められた単一の中性励起子に関係した放出線の分裂の,低温ミクロルミネセンス測定から導出した。異方性は,インフラッシュ法によって成長させた構造の方が,この技術なしで成長させた構造に比べて,大幅に小さいことがわかった。この異方性の低減は,インフラッシュ技術を用いたときGaAS障壁内に生じた歪の低減によるものであることを提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *ヒ化インジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *異方性 ,  励起子 ,  障壁 ,  歪 ,  *光ルミネセンス ,  化合物半導体 ,  結晶成長
準シソーラス用語： インフラッシュ ,  エネルギー障壁 ,  *マイクロ光ルミネセンス ,  *光学異方性

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  光学異方性 ,  フラッシュ