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J-GLOBAL ID：201202224095658582   整理番号：12A0171024

プラズマ促進化学蒸着法で成長した非晶質SiN_x:H薄膜の光学特性と化学結合特性

Optical properties and chemical bonding characteristics of amorphous SiN_X:H thin films grown by the plasma enhanced chemical vapor deposition method

著者 (8件)： HE Yin ,  WANG Yuanzhe ,  LI Wang ,  HAN Weizhi ,  HU Zhijuan ,  QIN Xiaomei ,  DU Guoping ,  SHI Wangzhou
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 3  ページ： 577-582  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ促進化学蒸着(PECVD)法で成長した非晶質窒化ケイ素(SiN_x:H)薄膜は,現在結晶シリコン太陽電池用に最も重要な反射防止被膜である。この研究では,PECVDで堆積した非晶質SiN:H膜の光学特性と化学結合特性を調べた。反応先行体としてシラン(SiH₄)とアンモニア(NH₃)を使用した。SiN_x:H薄膜の成長速度と屈折率のSiH₄/NH₃ガス流比依存性を調べた。SiN_x:H薄膜の化学結合特性と表面形態を,それぞれFourier変換赤外分光法と原子間力顕微鏡法で調べた。また,SiN_x:H薄膜の光学特性と表面形態におよぼす高速熱処理の効果も調べた。高速熱処理により,SiN_x:H薄膜の膜厚低下,屈折率の増加と一層粗い表面が得られることが分かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *非晶質半導体 ,  *窒化ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *水素化 ,  *化学結合 ,  シラン ,  アンモニア ,  成長速度 ,  屈折率 ,  表面構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  赤外吸収スペクトル ,  膜厚 ,  光反射 ,  *光透過 ,  RTA【熱処理】
準シソーラス用語： 表面形態 ,  FTIRスペクトル

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ促進化学蒸着 ,  成長 ,  薄膜 ,  光学特性 ,  化学結合