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J-GLOBAL ID：201202224203092655   整理番号：12A1071217

次世代高効率ネットワークデバイス技術 超高速LAN-SANデバイス技術

著者 (4件)： 秋本良一 (産業技術総合研) ,  石川浩 (産業技術総合研) ,  江川満 (富士通) ,  田中有 (富士通)
資料名： O plus E  (O plus E)
号： 393  ページ： 741-743  発行年： 2012年07月25日 
JST資料番号： Z0994A  ISSN： 0911-5943  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 超高速LAN-SAN(Local Area Network-Storage Area Network)用デバイスとして開発した,1)超高速光ゲートスイッチ,2)高速直接変調レーザと3)高効率半導体光増幅器(SOA)について紹介した。1)はInGaAs/AlAsSbの結合量子井戸におけるサブバンド間遷移(ISBT)に起因する全光位相変調効果を利用したもので,信号光のTEモード光に対して低損失で,ピコ秒オーダの応答が可能である。開発した超高速光ゲートスイッチを用いてLAN-SANにおける160Gbit/s信号の40Gbit/s信号へのエラーフリーの多重分離を実現し,SHV配信システムに実装した。2)は多重量子井戸活性層を高速動作に有利なAlGaInAs系により構成し,高抵抗埋込み構造によって寄生容量を減らし,活性層長さの100μm以下への短縮と反射鏡の集積化によって,低駆動電流で温度調節素子不要の高温動作可能としたものである。従来光源に比べ消費電力が半減した。3)はInGaAsのコラムナ量子ドットを活性層としてもので,これを用いて160Gbit/sのOTDM伝送用ネットワークインターフェイスカードに搭載する,50°Cで40Gbit/sの高温高速動作可能な高効率SOAを開発した。

シソーラス用語： *LAN【通信】 ,  *光スイッチ ,  高速度 ,  光変調 ,  *半導体レーザ ,  *半導体光増幅器 ,  温度制御 ,  量子ドット ,  *光通信
準シソーラス用語： *SAN ,  温度調節 ,  光ゲート ,  超高速 ,  直接変調

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

引用文献 (3件)：

• 1) R. Akimoto, S. Gozu, T. Mozume, and H. Ishikawa : "Monolithically integrated all-optical gate switch using intersubband transition in InGaAs/A1AsSb coupled double quantum wells," Optics Express, Vol. 19, No. 14, p. 13386 (2011)
• 2) T. Simoyama, M. Matsuda, S. Okumura, A. Uetake, M. Ekawa, and T. Yamamoto : "40-Gbit/s transmission using direct modulation of 1.3-jim AlGaInAs MQW distributed- reflector lasers up to 70ーC," Optical Fiber Communication Conference 2011 paper, OWD3 (2011)
• 3) S. Sekiguchi, N. Yasuoka, S. Okumura, K.Kawaguchi, H. Ebe, K. Morito, M. Sugawara, and Y. Arakawa : "Highly efficient columnar-quantum dot semiconductor optical amplifier in high temperature condition," Optical Fiber Communication/ National Fiber Optic Engineers Conference, OFC/NEOEC 2010, OThK4 (2010)

タイトルに関連する用語 (5件)： 次世代 ,  高効率 ,  ネットワークデバイス ,  LAN ,  SAN