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J-GLOBAL ID：201202224205838280   整理番号：12A0651886

垂直異方性ワイヤの磁壁移動セルと面内磁気トンネル接合

Domain-wall-motion cell with perpendicular anisotropy wire and in-plane magnetic tunneling junctions

著者 (10件)： HONJO H. (Green Innovation Res. Laboratories, NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  FUKAMI S. (Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUZUKI T. (Green Innovation Res. Laboratories, NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  NEBASHI R. (Green Innovation Res. Laboratories, NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  ISHIWATA N. (Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA S. (Green Innovation Res. Laboratories, NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  SAKIMURA N. (Green Innovation Res. Laboratories, NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  SUGIBAYASHI T. (Green Innovation Res. Laboratories, NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  KASAI N. (Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO H. (Center for Spintronics Integrated Systems, Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 7  ページ： 07C903-07C903-3  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直磁気異方性(PA)をもつワイヤーはその臨界電流が小さいので磁壁移動(DWM)セルに適している。しかし,高磁気抵抗(MR)比磁気トンネル接合(MTJ)とPA材料のみを用いたDWMを含んだセルの設計は容易ではない。われわれはPA-DWM素子と検出用面内(IP)MTJの組み合わせを提案する。垂直層を用いることで記録電流を減少させながらも面内材料の積層を独立に用いて高いMR比を維持するといった手法によりこの構造は設計できる。われわれはセルを作製し,その記録読み出し特性を決定するため動作テストを行った。臨界電流700μAとMR比50%を達成した。これらの性質はDWMワイヤーと面愛MTJを分離作製した時とほぼ同じであった。このことは二つの素子を別々に設計することが可能なことを意味している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *垂直磁気異方性 ,  *細線 ,  *運動 ,  *トンネル接合 ,  磁気抵抗 ,  積層構造 ,  *磁気記録 ,  データ読取 ,  臨界電流
準シソーラス用語： *磁壁移動 ,  面内磁気トンネル接合

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  磁気異方性・磁気機械効果一般  (BM06101B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直 ,  異方性 ,  ワイヤ ,  磁壁移動 ,  セル ,  磁気トンネル接合