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J-GLOBAL ID：201202224219690587   整理番号：12A1602227

陽電子消滅分光により明らかにしたNiドープZnOの欠陥媒介強磁性

Defect mediated ferromagnetism in Ni-doped ZnO nanocrystals evidenced by positron annihilation spectroscopy

著者 (6件)： CHEN Zhi-yuan (Hubei Nuclear Solid Physics Key Lab., Dep. of Physics, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  CHEN Z. Q. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Lab., Dep. of Physics, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  ZOU B. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Lab., Dep. of Physics, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  ZHAO X. G. (Dep. of Electronic and Engineering, East China Normal Univ., Shanghai 200241, CHN) ,  TANG Z. (Dep. of Electronic and Engineering, East China Normal Univ., Shanghai 200241, CHN) ,  WANG S. J. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Lab., Dep. of Physics, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 8  ページ： 083905-083905-8  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NiドープZnOナノ結晶を得るために,NiO量が4at.%および20at.%のNiO/ZnOナノ複合体を1200°Cまでアニールした。Ramanスペクトルは,全てのナノ複合体において700°C以上のアニールで500~600cm^-1の幅広く,強いバンドを示したが,これはZnO格子へのNiの混入を示す。しかし,X線回折測定は,アニール後全てのナノ複合体でNiO相もまだ見出されることを示したが,それはNiが部分的にZnO構造にドープされていることを示す。陽電子消滅測定により,全てのナノ複合体の界面領域に多数の空孔欠陥があり,それらはアニール温度を1000°Cまで上げると次第に回復することを明らかにした。室温強磁性はNiO/ZnOナノ構造体で見出され,20at.%NiO/ZnOナノ構造体でより強かったが,アニール温度を上げるとその磁化は連続的に減少した。これは,低いアニール温度における強磁性がNiOナノ結晶粒に起源をもつもので,その後のより高温のアニールで反強磁性となり,強磁性を弱めることを示す。1000°Cまでのアニールの後,二つの試料の両方において強磁性はほとんど見えなくなった。強磁性の消失は,NiO/ZnOナノ構造体における空孔欠陥の回復とよい一致を示した。強磁性は界面領域に分布する空孔欠陥により媒介されるものと考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ニッケル ,  *ドーピング ,  *強磁性 ,  ナノ結晶 ,  ナノ複合材料 ,  焼なまし ,  Ramanスペクトル ,  X線回折 ,  界面 ,  空孔欠陥 ,  空格子点 ,  酸化ニッケル ,  磁化 ,  反強磁性 ,  曲線 ,  飽和磁化 ,  *陽電子消滅 ,  *格子欠陥
準シソーラス用語： ナノ複合体 ,  空孔【点欠陥】 ,  磁化曲線

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  陽電子消滅  (BK16052L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 陽電子消滅 ,  分光 ,  Ni ,  ドープ ,  ZnO ,  欠陥 ,  強磁性