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J-GLOBAL ID：201202224311384972   整理番号：12A0731981

4H-SiC pチャネルMOSFETに向けRTP(高速熱処理)により成長させた窒化酸化物特性に及ぼす成長条件影響

Effect of the Growth Conditions on the Properties of Nitrided Oxides Grown by RTP for 4H-SiC p-Channel MOSFETs Fabrication

著者 (5件)： CONSTANT A. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  BERTHOU M. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  FLORENTIN M. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  MILLAN J. (CSIC, Barcelona, ESP) ,  GODIGNON P. (CSIC, Barcelona, ESP)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 5  ページ： H516-H521  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,SiO₂/p型4H-SiC界面に及ぼすRTP(高速熱処理)によるN₂O窒化過程の影響を成長条件の関数として評価することを提案し,結果としての酸化物化学組成とN₂O窒化反応動力学を調べた。N₂O中,RTPによりp型4H-SiC上で成長させた酸化物特性を,成長条件の関数として調べた。TOF-SIMS測定による定量的窒素プロファイル分析面から,またC-V測定によりSiO₂/p型4H-SiC界面のトラップ制御面から,酸化温度/時間の影響を評価した。ハロゲンランプが誘起するUV照射影響は,強度的に一桁オーダーの窒化反応速度増強を導くこと,また界面トラップ不動態化は酸窒化が進むにつれ同様に変化し,自己限定性であることが分った。加えて,横方向pチャネルMOSFETゲート酸化物生成に向けRTPを評価した。この革新的酸化法は,比較的低い熱量で,有望な電気特性を持つMOSFETを生成できることを示した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *炭化ケイ素 ,  *RTA【熱処理】 ,  酸化二窒素 ,  窒化 ,  *結晶成長 ,  化学組成 ,  反応速度論 ,  二次イオン質量分析 ,  輪郭 ,  二酸化ケイ素 ,  キャリア捕獲 ,  酸化 ,  温度依存性 ,  時間依存性 ,  紫外線照射 ,  反応速度 ,  不動態化 ,  酸化膜 ,  *酸化物 ,  *窒化物
準シソーラス用語： *pチャネルMOSFET ,  *4H-SiC ,  *高速熱処理 ,  亜酸化窒素 ,  反応動力学 ,  飛行時間二次イオン質量分析 ,  プロファイル【輪郭】 ,  界面トラップ ,  電荷トラップ ,  ゲート酸化膜 ,  *オキシ窒化物

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  塩  (CD01050V) ,  反応速度論・触媒一般  (CB06010G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 4H-SiC ,  pチャネルMOSFET ,  RTP ,  高速熱処理 ,  成長 ,  窒化 ,  酸化物 ,  成長条件