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J-GLOBAL ID：201202224329998625   整理番号：12A1756873

二種類の異性体ジデシル-ジナフト[2,3-b2′,3′-f]チエノ「3,2-b]チオフェン: 充填構造に及ぼすアルキル化位置の影響と有機電界効果トランジスタ特性

Two Isomeric Didecyl-dinaphtho[2,3-b:2′,3′-f]thieno[3,2-b]thiophenes: Impact of Alkylation Positions on Packing Structures and Organic Field Effect Transistor Characteristics

著者 (5件)： KANG Myeong Jin (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MIYAZAKI Eigo (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  OSAKA Itaru (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  TAKIMIYA Kazuo (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  TAKIMIYA Kazuo (RIKEN, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 11,Issue 2  ページ： 11PD04.1-11PD04.5  発行年： 2012年11月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二異性体ジデシル-ジナフト[2,3-b2′,3′-f]チエノ「3,2-b]チオフェン(2,9-及び3,10-C10-DNTT)の塊状単結晶と蒸着薄膜の充填構造と有機電界効果トランジスタ(OFET)特性を調べた。塊状単結晶の充填構造は異なるが,薄膜構造は互いに似ており,両異性体が8cm²V^-1s^-1の似通った最高移動度を持つ高性能のOFETを可能にする事実と一致した。一方,素子の耐久性はアルキル化の位置に影響された:2,9-C10-DNTT系素子では優れた素子特性が維持されたが,3,10-C10-DNTTに基づく素子は周囲条件下の起立で負の閾値電圧シフトを示した。この特性変化は3,10-C10-DNTT薄膜中の形態変化に関係すると思われる。新鮮に蒸着した層状充填モチーフからなる薄膜は特性π積層構造を有する塊状単結晶相により徐々に汚染された。これらの結果から,新しいDNTT系の高性能で安定した材料を開発するための,DNTTコア修飾の最適部位は2-及び9-位置であると結論できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 構造 ,  *アルキル化 ,  *FET【トランジスタ】 ,  有機材料 ,  薄膜成長 ,  移動度 ,  異性体
準シソーラス用語： 充填構造 ,  *有機FET ,  有機薄膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： DNTT

引用文献 (54件)：

• 1) J. A. Rogers, Z. Bao, H. E. Katz, and A. Dodabalapur: in Thin-Film Transistors, ed. C. R. Kagan and P. Andry (Marcel Dekker, New York, 2003) p.377.
• 2) Organic Electronics, Materials, Manufacturing and Applications, ed. H. Klauk (Wiley-VCH, Weinheim, 2006).
• 3) Organic Field-Effect Transistors, ed. Z. Bao and J. Locklin (CRC Press, Boca Raton, FL, 2007).
• 4) C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant: Adv. Mater. 14 (2002) 99.
• 5) J. E. Anthony. Chem. Rev. 106 (2006) 5028.

タイトルに関連する用語 (4件)： 異性体 ,  チオフェン ,  アルキル化 ,  有機電界効果トランジスタ