文献

J-GLOBAL ID：201202224340128381   整理番号：12A0746105

BaZrO₃で生成した柱状欠陥があるNdBa₂Cu₃O_7-δ膜の臨界電流,磁気緩和及びピン止め

Critical currents, magnetic relaxation and pinning in NdBa₂Cu₃O_7-δ films with BaZrO₃-generated columnar defects

著者 (9件)： IJADUOLA A O (Univ. Tennessee, TN, USA) ,  IJADUOLA A O (North Georgia Coll. and State Univ., GA, USA) ,  WEE S H (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  GOYAL A (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  MARTIN P M (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  LI J (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  THOMPSON J R (Univ. Tennessee, TN, USA) ,  THOMPSON J R (Oak Ridge National Lab., TN, USA) ,  CHRISTEN D K (Oak Ridge National Lab., TN, USA)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 4  ページ： 045013,1-9  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ堆積により標記の膜(厚み0.7及び2.1μm)を作製して超伝導特性を調べた。透過型電子顕微鏡により膜のc軸方向に磁束ピン止め中心として働く自己組織化BaZrO₃ナノロッドの形成が観察された。温度5~95K,磁場0~0.5Tの範囲で磁化曲線を測定して臨界状態モデルにより臨界電流密度J_cの磁場依存性を計算した。J_cは磁場に対してべき乗則に従う。J_cの角度依存性はピン止め効果によりc軸方向で最大であり,未ドープの場合の約2.5倍になる。臨界温度T_cは膜厚に関わらずいずれも93Kであった。活性化エネルギーU_effの電圧依存性及び緩和速度Sの温度依存性を測定して,それらの膜厚に従うフィッティングパラメータを計算した。

シソーラス用語： *ネオジム化合物 ,  *バリウム化合物 ,  *銅化合物 ,  *酸化物 ,  析出物 ,  ジルコニウム酸塩 ,  自己組織化 ,  ナノロッド ,  膜厚 ,  *磁束ピン止め ,  臨界電流密度 ,  臨界温度 ,  活性化エネルギー ,  緩和速度 ,  曲線あてはめ ,  *高温超伝導体

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 柱状欠陥 ,  臨界電流 ,  磁気緩和 ,  ピン止め