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J-GLOBAL ID：201202224466429603   整理番号：12A1704246

反射モードセシウム被覆GaAs光陰極から放出された電子のエネルギー分布

Energy distributions of electrons emitted from reflection-mode Cs-covered GaAs photocathodes

著者 (6件)： ZOU Jijun ,  ZHANG Yijun ,  PENG Xincun ,  DENG Wenjuan ,  FENG Lin ,  CHANG Benkang
資料名： Applied Optics  (Applied Optics)
巻： 51  号： 31  ページ： 7662-7667  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： B0026B  ISSN： 1559-128X  CODEN： APOPAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反射モードセシウム被覆GaAs光陰極から放出される電子のエネルギー分布を計算するため,二値最小拡散モデルに基づいて,光陰極表面に到達する電子のエネルギー分布を計算し,表面ポテンシャルバリアを通しての電子トンネル効果に関するSchroedinger方程式を解析することで,計算のための方程式を得た。この方程式により,入射光子エネルギー,拡散距離,表面ポテンシャルバリアなどが電子エネルギー分布に及ぼす効果を研究した。この方程式は,測定された電子エネルギー分布曲線のフィッティングにも利用された。このフィッティングから,陰極の性能パラメータを得た。理論曲線群でのLピークは実験曲線群のピークと一致した。バリア厚み1.7Åは,GaAs-Cs双極子層の厚みを正確に反映した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： Schroedinger方程式 ,  表面電位 ,  近似法 ,  エネルギー分布 ,  トンネル効果 ,  数学モデル ,  *セシウム ,  拡散距離 ,  *ヒ化ガリウム ,  *光電陰極 ,  被覆 ,  *光電子放出
準シソーラス用語： GaAs ,  フィッティング【近似法】 ,  拡散モデル ,  *光陰極 ,  表面ポテンシャル

分類 (1件)： 光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (6件)： セシウム ,  GaAs ,  光陰極 ,  放出 ,  電子 ,  エネルギー分布