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J-GLOBAL ID：201202224548808394   整理番号：12A1431886

AサイトとBサイトにドナードープしたPb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃膜内のドメイン壁の動き

Domain Wall Motion in A and B Site Donor-Doped Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃ Films

著者 (5件)： ZHU Wanlin (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania) ,  ZHU Wanlin (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  FUJII Ichiro (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania) ,  REN Wei (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  TROLIER-MCKINSTRY Susan (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 95  号： 9  ページ： 2906-2913  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学的溶液析出法で,NbとLaのドープ剤の入ったPb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃(PZT)の相的に純粋なペロブスカイト膜を作製した。Nbのドーピングは粒径に大きく影響しなかった。1~4mol%のNbをドープしたPZT膜では誘電率は1100から1300に増加したが。損失正接は低いままであった。2mol%のドーピング材では残留分極が~26μC/cm²に増加したが,これより高いドーピング水準ではこれが減少した。同様の挙動がLaをドープしたPZT膜でも認められた。RayleighとFORCの両方の測定でNbとLaのドーピングは無ドープの膜と比較してドメイン壁の移動性が増加することが示唆された。2%のドナーのドープで圧電特性は最大になった。

シソーラス用語： ドーピング ,  ドナー ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *強誘電分域 ,  誘電正接 ,  誘電率 ,  残留分極 ,  溶液成長 ,  薄膜成長 ,  ランタン化合物 ,  ニオブ化合物 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  薄膜 ,  圧電気 ,  微細構造 ,  セラミック ,  セラミック膜 ,  係数 ,  定数
準シソーラス用語： *ドメイン壁運動 ,  化学溶液析出 ,  圧電係数

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドナー ,  ドープ ,  Pb ,  O3 ,  ドメイン壁 ,  動き