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J-GLOBAL ID：201202224594424479   整理番号：12A0549696

高度に格子不整合の無欠陥ナノロッドの臨界寸法への基板歪の効果

Effect of substrate strain on critical dimensions of highly lattice mismatched defect-free nanorods

著者 (3件)： SBURLAN Suzana (Compound Semiconductor Lab., Dep. of Electrical Engineering, Electrophysics, Univ. of Southern California, Los ...) ,  NAKANO Aiichiro (Collaboratory for Advanced Computing and Simulations, Dep. of Computer Sci., Univ. of Southern California, Los ...) ,  DAPKUS P. Daniel (Compound Semiconductor Lab., Dep. of Electrical Engineering, Electrophysics, Univ. of Southern California, Los ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 5  ページ： 054907-054907-6  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 格子不整合基板上に成長した自立半導体ナノロッドが,太陽電池を含めて新規の素子として興味の対象となっている。ここでは,連続体弾性論を用いて自立ナノロッドの無欠陥成長の臨界直径への基板歪の効果を調べた。薄膜とは異なり,ナノロッドは横方向への緩和で歪を開放する。ヒ化ガリウム基板上に無欠陥で成長したヒ化インジウムナノロッドにとって,基板緩和が成長を左右することを見出した。計算結果は,臨界直径以下ではナノロッドは無限の長さまで転位を放出せずに成長できることを示す。この知見は,次世代太陽電池のための吸収効率の改善を達成する目的での無欠陥ナノロッドアレイの成長の最近の実験努力への援助と成ろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *格子欠陥 ,  *ナノロッド ,  *基板 ,  歪 ,  *格子不整合 ,  *弾性力学 ,  *結晶成長 ,  緩和現象 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化インジウム ,  効率 ,  転位【結晶】 ,  化合物半導体 ,  太陽電池
準シソーラス用語： 吸収効率 ,  *臨界寸法

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 格子不整合 ,  欠陥 ,  ナノロッド ,  臨界寸法 ,  歪