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J-GLOBAL ID：201202224627296676   整理番号：12A0538775

鉱物からの半導体薄膜の直接作製-孔雀石鉱物と合成CuOからのCu₂O薄膜の構造,光学的性質,輸送特性の研究

Semiconductor thin films directly from minerals-study of structural, optical, and transport characteristics of Cu₂O thin films from malachite mineral and synthetic CuO

著者 (6件)： BALASUBRAMANIAM K.r. ,  KAO V.m. ,  RAVICHANDRAN J. ,  ROSSEN P.b. ,  SIEMONS W. ,  AGER J.w.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 11  ページ： 3914-3917  発行年： 2012年03月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自然に豊富に存在する鉱石,孔雀石(Cu₂CO₃(OH)₂)を用いて,機能的薄膜に基づく素子の能動要素として用いる半導体Cu₂Oを直接作製する概念を実証した。Cu₂Oは原型の正孔伝導半導体であり,特に太陽電池への応用に有用な幾つかの興味深い特性を有する。本論文では,天然の孔雀石と合成CuOターゲットから成長させたCu₂O薄膜の構造,光学的性質,輸送特性を比較した。何れの原料からも単相で完全にエピタキシャル酸化第一銅薄膜が得られた。孔雀石から成長させた膜は強い吸収係数10⁴cm^-1)を持ち,光学ギャップは2.4eV,多数キャリア正孔移動度は室温で35cm²V^-1s^-1であった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 炭酸塩鉱物 ,  *薄膜成長 ,  *半導体薄膜 ,  *酸化第一銅 ,  光学ギャップ ,  キャリア移動度 ,  光起電力 ,  質量スペクトル ,  Hall移動度
準シソーラス用語： X線回折パターン ,  孔雀石 ,  輸送特性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： 鉱物 ,  半導体薄膜 ,  作製 ,  孔雀石 ,  CuO ,  Cu2O ,  薄膜 ,  光学的性質 ,  輸送特性 ,  研究