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J-GLOBAL ID:201202224866461700   整理番号:12A1568014

GaAsナノワイヤにおける表面不動態化の電気的及び光学的特性評価

Electrical and Optical Characterization of Surface Passivation in GaAs Nanowires
著者 (13件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 4484-4489  発行年: 2012年09月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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AlxGa1-xAs不動態化GaAsナノワイヤのキャリア動力学を系統的に研究した。不動態化とともに,マイノリティーキャリア拡散長(Ldiff)は30から180nmへ電子ビーム誘起の電流(EBIC)マッピングによる測定の場合増大し,光ルミネセンス(PL)寿命はサブ60psから1.3nsに増大する。連続波PL強度の48倍の増強を,AlxGa1-xAs不動態層の有無で同一の個々のナノワイヤ上で認め,表面再結合の顕著な低下を示す。それらの結果は,不動態化ナノワイヤにおいてマイノリティーキャリア寿命はツインの積層欠陥に制限されないことが示される。PL寿命とマイノリティーキャリア拡散長から,表面再結合速度(SRV)を1.7×103から1.1×104cm/sと見積り,マイノリティーキャリア移動度(μ)は10.3から67.5cm2/(V・s) と不動態化ナノワイヤに対して見積った。
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分類 (3件):
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塩  ,  腐食基礎理論,腐食試験  ,  電極過程 
タイトルに関連する用語 (5件):
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