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J-GLOBAL ID：201202224990343767   整理番号：12A0924296

ドライエッチ面を含むAl₂O₃/AlGaN/GaN構造の界面評価

Interface characterization of GaN-based MOS heterostructures employing ICP-etched AlGaN surfaces

著者 (5件)： 谷田部然治 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  堀祐臣 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  KIM Sungsik (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  橋詰保 (JST-CREST)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 34(SDM2012 19-42)  ページ： 49-52  発行年： 2012年05月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った。ドライエッチングには,Cl₂/BCl₃ガスによるICP支援プラズマ法を用いた。ドライエッチ後,原子層堆積法を用いてAlGaN/GaN表面にAl₂O₃層を堆積し,絶縁ゲート構造を作製した。その界面特性を容量-電圧(C-V)の,及び光支援C-V法により評価した。光照射に起因するしきい値電圧平行シフト量がICPエッチング後には大きくなっていることから,ICPエッチングによりAl₂O₃/AlGaN界面準位密度が増加することが明らかになった。またX線光電子分光法(XPS)による評価から,界面準位密度増加の原因はドライエッチング後のAlGaN表面の窒素欠乏である可能性が示唆された。(著者抄録)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  酸化アルミニウム ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  *表面準位 ,  ドライエッチング ,  *MOS集積回路 ,  誘導結合プラズマ
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *界面準位

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (6件)： エッチ面 ,  Al2O3 ,  AlGaN ,  GaN ,  界面 ,  評価