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J-GLOBAL ID：201202225017020756   整理番号：12A1515824

歪のないSi_xGe_1-x-ySn_yの直接および間接バンドギャップとそれらのフォトニックデバイスへの応用

The direct and indirect bandgaps of unstrained Si_xGe_1-x-ySn_y and their photonic device applications

著者 (3件)： MOONTRAGOON P. (Dep. of Physics, Fac. of Sci., Khon Kaen Univ., Khon Kaen 40002, THA) ,  SOREF R. A. (Physics and Engineering Departments, Univ. of Massachusetts at Boston, Boston, Massachusetts 02125, USA) ,  IKONIC Z. (School of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Leeds, Leeds LS2 9JT, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 7  ページ： 073106-073106-8  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 経験的な擬ポテンシャル理論を利用して,歪のないSi_xGe_1-x-ySn_y結晶の直接(Γ)および間接バンドギャップ(LおよびX)をxyの全組成範囲で計算した。結果を三元図ならびに予測された格子パラメータの三元プロットでエネルギー軌跡マップとして示した。種々の中赤外フォトニック応用のために0.2から0.6eVの直接ギャップSiGeSn物質のグループを見いだした。0.8eVに直接ギャップをもつ(しかしGeよりL-Γ間隔が小さい)わずかに間接的なSiGeSn合金の組みを同定した。これらの物質は種々の通信用フォトニックデバイスにおけるGeのように機能するであろう。赤外発光体,増幅器,光検出器および変調器(自由キャリアまたはFranz-Keldysh)のためのヘテロ層SiGeSn構造を述べた。中赤外SiGeSnベースの多重量子井戸レーザダイオード,増幅器,光検出器および量子閉じ込めStark効果変調器のための最適デザインスペースを詳細に調べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  擬ポテンシャル法 ,  赤外検出器 ,  ケイ素含有合金 ,  *ゲルマニウム合金 ,  スズ含有合金 ,  光学素子 ,  三元合金 ,  量子井戸レーザ ,  光増幅器 ,  Stark効果 ,  光変調素子 ,  状態図 ,  光スイッチ
準シソーラス用語： *フォトニックデバイス ,  多重量子井戸レーザ ,  量子閉込めStark効果 ,  三元系相図

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 歪 ,  間接バンドギャップ ,  フォトニックデバイス ,  応用