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J-GLOBAL ID：201202225053071600   整理番号：12A0549363

グラフェン-ジルコニウム酸チタン酸鉛光熱場効果トランジスタ

Graphene-lead zirconate titanate optothermal field effect transistors

著者 (6件)： HSIEH Chun-yi (Dep. of Physics and Center for Emerging Material and Advanced Devices, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  CHEN Yung-ting (Dep. of Physics and Center for Emerging Material and Advanced Devices, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  TAN Wei-jyun (Dep. of Physics and Center for Emerging Material and Advanced Devices, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  CHEN Yang-fang (Dep. of Physics and Center for Emerging Material and Advanced Devices, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  SHIH Wan Y. (School of Biomedical Engineering, Sci., and Health Systems, Drexel Univ., Philadelphia, Pennsylvania 19104, USA) ,  SHIH Wei-heng (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Drexel Univ., Philadelphia, Pennsylvania 19104, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 11  ページ： 113507-113507-4  発行年： 2012年03月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン-ジルコニウム酸チタン酸鉛(PZT)系を用いた焦電場効果トランジスタ(FET)を開発した。レーザ光の影響下で,PZT基板の偏光方向に依存して,ドレイン電流が増大または減少した。6.7kV/mのドレイン場で光熱FETのドレイン電流感度は,SiO₂/Si基板上のカーボンナノチューブを用いたフォトゲート型トランジスタの値よりも5桁以上大きい360nA/mWにまで達した。グラフェンは,その高い光学的透明性と伝導率のために,焦電性FETの優れた構成要素となりうる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭素材 ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *効果 ,  焦電気 ,  *トランジスタ ,  グラフェン
準シソーラス用語： *光熱効果

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  トランジスタ