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J-GLOBAL ID：201202225066694894   整理番号：12A0652191

SiおよびSiGe中でのフッ素空格子点複合欠陥の陽電子消滅研究

Positron annihilation studies of fluorine-vacancy complexes in Si and SiGe

著者 (4件)： EDWARDSON C. J. (Dep. of Physics, Univ. of Bath, Bath BA2 7AY, GBR) ,  COLEMAN P. G. (Dep. of Physics, Univ. of Bath, Bath BA2 7AY, GBR) ,  EL MUBAREK H. A. W. (School of Electrical and Electronic Engineering, Univ. of Manchester, Manchester, M13 9PL, GBR) ,  GANDY A. S. (School of Electrical and Electronic Engineering, Univ. of Manchester, Manchester, M13 9PL, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 7  ページ： 073510-073510-6  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだSi-SiGe-Si多層構造及びGe含有量を変えた緩和SiGe層中でのフッ素空格子点(FV)複合欠陥の形成を可変エネルギー陽電子消滅分光で調べた。そこにはDoppler線幅広がり比の曲線も含んでいた。あらゆる型の試料中で,注入フッ素イオンの作った損傷だけで区別される二つの領域があることが分かった。最初のより浅い(表面から200nm前後まで)領域は修飾されていない空格子点とFV複合体を持つことが分かった。この領域ではGe濃度と空格子点またはF濃度の間には何の相関も無かった。多層試料はその他に酸素汚染を持つ可能性があるが,それは緩和試料では存在しない。第二の領域(200~440nm)は全ての試料で先ずFV複合体を持つ。多層試料では,二次イオン質量分析(SIMS)の結果がそれぞれの層の中あるいは界面にFの蓄積のピークを示した。しかし,FV複合体は緩和試料と同程度の深さに分布しており,そのいくらかは第二領域の内部のSiGe層に局在していた。陽電子応答は先ずどの試料でもF注入で形成したFV複合体からであった。F:FV比は緩和試料では3~7:1であった。陽電子は第二領域を超えて存在する最大のFSIMSピークには比較的敏感ではない。その理由はおそらくFがSiGe層の全ての開放空間を占めて,陽電子トラップサイトが残らないためである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  含有量 ,  緩和現象 ,  *フッ素 ,  *空格子点 ,  複合欠陥 ,  *陽電子消滅 ,  Doppler効果 ,  スペクトル線幅 ,  損傷 ,  二次イオン質量分析 ,  半導体材料 ,  電子 ,  捕獲 ,  *ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金
準シソーラス用語： トラップ【固体】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  陽電子消滅  (BK16052L)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  SiGe ,  フッ素 ,  空格子点 ,  複合欠陥 ,  陽電子消滅 ,  研究