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J-GLOBAL ID：201202225085420258   整理番号：12A0620205

ZnOナノワイヤ中のSb修飾頭-頭結晶面反転ドメイン境界からの安定なp型伝導

Stable p-Type Conduction from Sb-Decorated Head-to-Head Basal Plane Inversion Domain Boundaries in ZnO Nanowires

著者 (9件)： YANKOVICH Andrew B. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  PUCHALA Brian (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  WANG Fei (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  SEO Jung-Hun (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  MORGAN Dane (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  WANG Xudong (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  MA Zhenqiang (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  KVIT Alex V. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  VOYLES Paul M. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 3  ページ： 1311-1316  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンチモンドーピングされた酸化亜鉛ナノワイヤを成長させた。Zコントラスト収差補正透過型走査電子顕微鏡によりキャラクタリゼーションを行った。すべてのSbは(0001)ナノワイヤ成長面および内部ボイドの(0001)面の直下に存在する頭-頭結晶面反転ドメイン境界(A)に集まることを確かめた。密度汎関数法計算からAの過剰酸素が電子受容体として働き,安定なp型伝導が18ケ月後も観測された。p-nホモ接合素子への応用を示唆した。

シソーラス用語： アンチモン ,  *不純物分布 ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノワイヤ ,  結晶成長 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  収差補正 ,  結晶構造 ,  *粒界偏析 ,  密度汎関数法 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  *半導体接合 ,  界面
準シソーラス用語： *ドーピング分布 ,  ドメイン構造 ,  *ホモ接合 ,  固固界面

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (8件)： ZnOナノワイヤ ,  Sb ,  修飾 ,  頭 ,  結晶面 ,  反転 ,  ドメイン境界 ,  P型伝導