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J-GLOBAL ID：201202225180659390   整理番号：12A0495252

酸化物半導体物質,酸化インジウム-ガリウム-亜鉛を用いたトランジスタのオフ状態電流特性の評価

Evaluation of Off-State Current Characteristics of Transistor Using Oxide Semiconductor Material, Indium-Gallium-Zinc Oxide

著者 (10件)： KATO Kiyoshi (Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SHIONOIRI Yutaka (Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SEKINE Yusuke (Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  FURUTANI Kazuma (Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  HATANO Takehisa (Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  AOKI Taro (Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SASAKI Miyuki (Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  TOMATSU Hiroyuki (Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KOYAMA Jun (Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  YAMAZAKI Sunpei (Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 1  ページ： 021201.1-021201.7  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物半導体物質であるインジウム-ガリウム-亜鉛酸化物(IGZO)を用いた金属酸化物半導体(MOS)トランジスタの著しく低いオフ状態電流(85°Cで135yA/μm)を測定した。”y”は10^-24であることに留意すること。IGZO中の水素濃度が低減化(5x10¹⁹cm^-3またはより低い)されているトランジスタが使用された。微小な電流を推定するために,電気的チャージの総量の変化が長時間測定できる測定方法を確立した。そのような極端に低いオフ電流特性はIGZOトランジスタのメモリにおける新しい応用のために有望である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *酸化物 ,  *亜鉛化合物 ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  *電流 ,  濃度 ,  減少
準シソーラス用語： *オフ状態電流 ,  水素濃度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (36件)：

• 1) N. Kimizuka and T. Mohri: J. Solid State Chem. 60 (1985) 382.
• 2) N. Kimizuka, M. Isobe, and M. Nakamura. J. Solid State Chem. 116 (1995) 170.
• 3) M. Nakamura: NIRIM Newsl. 150 (1995) 1.
• 4) M. Nakamura, N. Kimizuka, and T. Mohri: J. Solid State Chem. 93 (1991) 298.
• 5) N. Kimizuka and T. Mohri: Japan Patent 1606567 (1991).

タイトルに関連する用語 (9件)： 酸化物半導体 ,  物質 ,  酸化インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  トランジスタ ,  オフ状態 ,  流特性 ,  評価