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J-GLOBAL ID：201202225299104620   整理番号：12A1731453

高性能水平型ゲートオールアラウンド シリコンナノワイヤ電界効果トランジスタ

High performance horizontal gate-all-around silicon nanowire field-effect transistors

著者 (5件)： SHIRAK O (Technion, Haifa, ISR) ,  SHTEMPLUCK O (Technion, Haifa, ISR) ,  KOTCHTAKOV V (Technion, Haifa, ISR) ,  BAHIR G (Technion, Haifa, ISR) ,  YAISH Y E (Technion, Haifa, ISR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 39  ページ： 395202,1-8  発行年： 2012年10月05日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水平懸垂シリコンナノワイヤを用いたゲートオールアラウンド(GAA)電界効果トランジスタの新しい作製法を示すとともに,デザインしたデバイスを作製し,トランジスタとしての高性能特性を得た。すなわち,高オン電流密度(約150μAμm^-1),高オンオフ電流比(10⁶),低閾値電圧(約-0.4V),低サブ閾値勾配(約100mV/dec)および大きな相互コンダクタンス(g_m≒9.5μS)を得た。このような高い性能はゲートオールアラウンドの強固な静電結合によるものであり,これによってSchottky障壁有効高さがかなり低下することを実験で確認した。

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  *Schottky障壁 ,  相互コンダクタンス ,  *接合形FET ,  比率 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  素子構造
準シソーラス用語： Schottky障壁ゲート電界効果トランジスタ ,  オンオフ比 ,  ゲートオールアラウンド ,  *シリコンナノワイヤFET ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  水平型 ,  ゲートオールアラウンド ,  シリコン ,  ナノワイヤ電界効果トランジスタ