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J-GLOBAL ID：201202225345426140   整理番号：12A1102854

低損失のケイ素集積窒化アルミニウム光回路およびそれらの電気光学信号処理における利用

Low-Loss, Silicon Integrated, Aluminum Nitride Photonic Circuits and Their Use for Electro-Optic Signal Processing

著者 (3件)： XIONG Chi (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  PERNICE Wolfram H.P. (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  TANG Hong X. (Yale Univ., Connecticut, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 7  ページ： 3562-3568  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ケイ素緩衝層(屈折率n=1.46)を基板として窒化アルミニウム薄膜をスパッタ蒸着した。シルセスキオキサンレジストを用いて導波路(650nm厚,1μm幅)を形成した。AlNの電気光学係数はr₃₃,r₁₃=1pm/Vであり,GaAsに近い。AlN導波路をPECVDによりシリカ層で被覆し,導波路を挟む二つの設置電極および導波路上のシグナル電極で囲むことにより垂直電場を最適化し,環状共振器を作製した。±7.5Vの印加電圧によりQ値80000,消光比10dBを確認した。周波数特性を調べた。環状変調器として電気光学変調周波数4.5Gb/sを達成した。可視領域で透明であり,伝搬損失が0.6dB/cmと小さく,CMOS技術組込可能で,安価なことを強調した。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  酸化ケイ素 ,  集積回路 ,  *光導波路 ,  *窒化アルミニウム ,  屈折率 ,  透明材料 ,  薄膜 ,  スパッタ蒸着 ,  有機ケイ素化合物 ,  レジスト ,  パターン形成 ,  係数 ,  構造 ,  プラズマCVD ,  *リング共振器 ,  Q値 ,  消光比 ,  周波数特性 ,  共振周波数 ,  損失 ,  電子技術 ,  *光変調
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  PECVD ,  ケイ素基板 ,  シルセスキオキサン ,  環状共振器 ,  伝搬損失 ,  電気光学係数 ,  電極構造

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低損失 ,  ケイ素 ,  集積 ,  窒化アルミニウム ,  光回路 ,  光学信号処理