抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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ダイヤモンドは優れた物理的特性を持っているが,その中で最も電気的に関心のある特性としては半導体となりうることである.半導体としての応用を考える際,エピタキシャル成長した大面積のダイヤモンドが必要となる。本研究では,原料ガスとしてメタンを用いたCVD法によるダイヤモンド合成について述べている。合成容器は直径30cmのステンレス製である。フィラメントと銅電極との通電は,モリブデンのシートでタングステンフィラメントを挟み,先端部を銅電極のスリット部に挟む.さらに,銅電極のネジを締め付けることで,モリブデンとタングステンフィラメントとの電気的接触を保っている。フィラメント温度を2000°C,水素流量を20~100sccm,メタン流量を0.5~2sccmとした時,原料としてエチルアルコールやブタンの場合と同様,比較的大きな面を持つ単結晶のダイヤモンドが得られた。また,テトラポット型に似たダイヤモンドが合成された際には,フィラメントに近い領域に大面積なダイヤモンドが合成された。