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J-GLOBAL ID：201202225413927152   整理番号：12A1174541

チャネル幅40μmのインプレーンゲート・トランジスタ

In-Plane Gate Transistors With a 40-μm-Wide Channel Width

著者 (7件)： CHUNG Tung-Hsun (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LIN Wei-Hsun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHAO Yi-Kai (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  CHANG Shu-Wei (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LIN Shih-Yen (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LIN Shih-Yen (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Shih-Yen (National Taiwan Ocean Univ., Keelung, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 8  ページ： 1129-1131  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標準的なμmオーダのフォトリソグラフィプロセスによってインプレーンゲート・トランジスタ(IPGT)を作製する目的で,通常のGaAs/AlGaAs2次元電子ガス(2DEG)チャネルの幅を40μmとした素子を試作し,キャリア密度および電子移動度,ドレイン電流(I_D)とドレイン-ソース電圧(V_DS)およびゲート-ソース電圧(V_GS)との関係などを測定し,表面状態(電荷の状態),バンドギャップ/構造,フェルミ準位などの点からIPGTの動作について考察して次の結果を得た。今回試作したIPGTは,V_GS=-10Vで動作を停止し,これは表面誘起チャネル空乏化によるためと考えられる。また,温度が100K以下では動作を停止できないことも見出し,このことは表面状態がIPGTの機能発現に重要な役割を果たしていることを示している。チャネル幅の広いIPGTは絶縁層のないトランジスタを可能にするものと考えられ,さらにGaAs層をInGaAs層に置き換えると光検出波長を近赤外領域に広げることができるなどの特徴を有する。

シソーラス用語： トランジスタ ,  幅 ,  MOS構造 ,  *フォトリソグラフィー ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *二次元電子ガス ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  表面準位 ,  バンドギャップ ,  Fermi準位
準シソーラス用語： *インプレーンゲートトランジスタ ,  *チャネル幅 ,  電子移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (1件)： チャネル幅