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J-GLOBAL ID：201202225614939760   整理番号：12A1692050

堆積したままのSi/Ni/Si層中の界面混合のX線および偏極中性子反射率測定による解析

Interfacial mixing in as-deposited Si/Ni/Si layers analyzed by x-ray and polarized neutron reflectometry

著者 (5件)： BHATTACHARYA Debarati (Solid State Physics Div., Bhabha Atomic Res. Centre, Trombay, Mumbai 400085, IND) ,  BASU Saibal (Solid State Physics Div., Bhabha Atomic Res. Centre, Trombay, Mumbai 400085, IND) ,  SINGH Surendra (Solid State Physics Div., Bhabha Atomic Res. Centre, Trombay, Mumbai 400085, IND) ,  ROY Sumalay (Dep. of Materials Sci., Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., 2A and 2B Raja S.C. Mullick Road, Jadavpur ...) ,  DEV Bhupendra Nath (Dep. of Materials Sci., Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., 2A and 2B Raja S.C. Mullick Road, Jadavpur ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 263  ページ： 666-670  発行年： 2012年12月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温での堆積の間にSi/Ni/Si多層系中の界面における界面混合をX線反射率および偏極中性子反射率で探った。これらの技法の補完性を活用してナノメートル深さ分解能での構造と磁性のキャラクタリゼーションが達成できた。反射率プロフィルを適切に当てはめたモデルがSi/NiおよびNi/Si界面でのNi-Si混合合金層の形成を同定した。界面化合物の定量的化学量論組成評価を含めた層状構造の物理的パラメータは上記の反射率パターンの解析から得た。それに加えて中性子反射率は深さの関数としての磁気モーメント密度プロフィルを層状媒質で与える。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ニッケル ,  *多層膜 ,  界面 ,  反射率 ,  *磁気モーメント ,  *X線反射 ,  *中性子反射 ,  *スピン分極 ,  *相互拡散 ,  ニッケル合金 ,  ケイ素含有合金 ,  金属薄膜 ,  深さプロフィル

分類 (2件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 堆積 ,  Si ,  Ni ,  Si層 ,  界面 ,  X線 ,  偏極中性子 ,  反射率測定 ,  解析