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J-GLOBAL ID：201202225711975992   整理番号：12A0267993

グラフェンと六方晶窒化ホウ素との超格子の電子構造

Electronic structure of superlattices of graphene and hexagonal boron nitride

著者 (3件)： KALONI T. P. (KAUST, Thuwal, SAU) ,  CHENG Y. C. (KAUST, Thuwal, SAU) ,  SCHWINGENSCHLOEGL U. (KAUST, Thuwal, SAU)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 3  ページ： 919-922  発行年： 2012年01月21日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ab initio密度汎関数法でグラフェンと六方晶窒化ホウ素とでできる超格子スラブの電子構造を求めた。一般化勾配近似とvan der Waals相互作用を取り入れ,c軸格子定数と原子位置を最適化した。両成分の界面でC-B結合が短縮することが分った。単一グラフェン層ではDirac点での相当大きいバンドギャップがあるが,グラフェン二層の超格子ではそれがない。この超格子構造はFETやMOS素子に有用である。

シソーラス用語： *超格子 ,  *炭素材 ,  *窒化ホウ素 ,  *密度汎関数法 ,  計算 ,  ab initio法 ,  スラブ ,  *電子構造 ,  van der Waals力 ,  格子定数 ,  *核間距離 ,  最適化 ,  界面 ,  *バンドギャップ ,  単一層 ,  多層 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  *超格子構造 ,  *六方晶窒化ホウ素 ,  一般化勾配近似法 ,  二層

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  結晶結合  (BK05020K) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  六方晶窒化ホウ素 ,  格子 ,  電子構造