文献

J-GLOBAL ID：201202225735008110   整理番号：12A0674279

65nmCMOSプロセスによる高信頼ミリ波電力増幅器の設計

Design-in-Reliable Millimeter-Wave Power Amplifiers in a 65-nm CMOS Process

著者 (5件)： QUEMERAIS Thomas (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  MOQUILLON Laurence (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  FOURNIER Jean-Michel (UJF, Grenoble, FRA) ,  BENECH Philippe (UJF, Grenoble, FRA) ,  HUARD Vincent (STMicroelectronics, Crolles, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 60  号： 4  ページ： 1079-1085  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能4段電力増幅器(PA)のエージングをCMOS65nmプロセスによる試作により検討した。1段60GHzPAで検証したホットキャリアエージングモデルが多段高性能ミリ波PAに対する特性パラメータの劣化を推定することができることを確認した。ホットキャリアに起因するしきい値電圧の増加,トランスコンダクタンスの減少およびMOSFETの出力コンダクタンスは,PAの性能劣化に至る。上述のエージングモデルを使い,ミリ波のライフタイムを長くすることができる。新しいPAをこのエージング効果を考慮して設計し,10年間にわたり高信頼を実現できることを示した。得られた増幅器は,60GHzにおいて1dBコンプレッションポイントの電力利得20dB,6.6%付加効率,出力12.5dBm,飽和出力電力は16dBmを実現した。

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  *EHF波 ,  *信頼性 ,  半導体プロセス ,  閾値 ,  相互コンダクタンス ,  MOSFET ,  ホットキャリア
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  トランスコンダクタンス ,  *ミリ波 ,  高信頼性

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (3件)： プロセス ,  ミリ波電力増幅器 ,  設計