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J-GLOBAL ID：201202225755670102   整理番号：12A0723230

¹³⁷Csγ線に曝露しSchottky接触を有する表面不動態化SnO₂ナノワイヤにおける電子特性の変化に関する予備的研究

Preliminary investigation on the modification of electronic properties in surface passivated SnO₂ nanowires with Schottky contacts on being exposed to ¹³⁷Cs γ-radiation

著者 (6件)： KAR Ayan (Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of Illinois, Chicago, Illinois 60607, USA) ,  AHERN Ryan (Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of Illinois, Chicago, Illinois 60607, USA) ,  GOPALSAMI N. (Nuclear Engineering Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  RAPTIS A. C. (Nuclear Engineering Div., Argonne National Lab., Argonne, Illinois 60439, USA) ,  STROSCIO Michael A. (Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of Illinois, Chicago, Illinois 60607, USA) ,  DUTTA Mitra (Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of Illinois, Chicago, Illinois 60607, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 8  ページ： 084319-084319-5  発行年： 2012年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： γ線照射による標題のSnO₂ナノワイヤの電子及び表面特性の室温における変化を調べた。高エネルギーフォトンにより発生した電子は酸素増感ナノワイヤに捕獲される。それはSchottky障壁の増大に伴いナノワイヤ抵抗に変化をもたらす。すなわち,金属-半導体接合を横切る電流を変調する。素子抵抗の時間変化は照射に対して極めて短い応答を示す。さらに,照射ナノワイヤのルミネセンス及び透過率データは高エネルギーγ線曝露後にその性質と表面欠陥密度が変化することを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  不動態化 ,  γ線照射 ,  *Schottky障壁 ,  半導体金属接合 ,  電流電圧特性 ,  キャリア捕獲 ,  表面欠陥 ,  欠陥密度 ,  応答時間 ,  光ルミネセンス ,  *酸化スズ ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  表面不動態化 ,  二酸化スズ

分類 (3件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 137Cs ,  γ線 ,  曝露 ,  Schottky接触 ,  表面不動態化 ,  ナノワイヤ ,  電子 ,  予備的研究