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J-GLOBAL ID：201202225977898349   整理番号：12A0649231

次世代リソグラフィ材料の開発状況

著者 (1件)： 佐藤和史 (東京応化工業 開発本部)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 92nd  号： 1  ページ： 57  発行年： 2012年03月09日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： EUVレジストについては,解像性能,感度,ラフネスの相反関係を克服するために,樹脂構造中にPAGを取り込んだ,Polymer bound PAGが積極的に検討されている。本報告では,このPolymer bound PAGにさらにプロトンソースを組み込むことにより,酸の発生効率を改善した樹脂を用いたEUVレジストの特性について報告する。また既存プロセスの延命として,自己組織化材料を併用したリソグラフィの現状についても述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： フォトレジスト ,  極端紫外線 ,  分解能 ,  感度 ,  添加剤 ,  陽子 ,  *自己組織化 ,  リソグラフィー ,  *超LSI
準シソーラス用語： *EUVレジスト ,  プロトン ,  解像度 ,  酸発生剤

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 次世代 ,  リソグラフィ ,  開発 ,  状況