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J-GLOBAL ID：201202226022613095   整理番号：12A0655689

接合なしUTB SOI-FETの物理モデル

Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET

著者 (4件)： GNANI Elena (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  GNUDI Antonio (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  REGGIANI Susanna (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  BACCARANI Giorgio (Univ. Bologna, Bologna, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 4  ページ： 941-948  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SOIチャネル上にゲートを有する接合なし(JL)超薄体(UTB)SOI-FETの物理モデルを提案し,電気特性を計算した。表面電位とゲート電圧間の関係を厳密に決定し,基板内の電圧降下を十分に考慮し,素子が空乏領域で動作する場合には著者らが先に提案したJL円筒ナノワイヤFETに対する改良型近似を用いて電位と一次電位と二次導関数の連続性を確保した。このモデルはPoisson方程式を正確に解くことができ,逐次近似により基板とSi体表面電位の下界と上界を正確に計算できた。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *電気特性 ,  空乏層 ,  逐次近似 ,  連続性 ,  Poisson方程式 ,  数値解析 ,  計算機シミュレーション ,  超薄膜
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  ドレイン電流 ,  物理モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： SOI ,  FET ,  物理モデル