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J-GLOBAL ID：201202226220073551   整理番号：12A0385801

波長の異なるフェムト秒レーザパルスで製作された表面微細構造化シリコンの発展の相違

Differences in the evolution of surface-microstructured silicon fabricated by femtosecond laser pulses with different wavelength

著者 (8件)： PENG Yan ,  ZHANG Dongsheng ,  CHEN Hongyan ,  WEN Ya ,  LUO Shida ,  CHEN Lin ,  CHEN Kejian ,  ZHU Yiming
資料名： Applied Optics  (Applied Optics)
巻： 51  号： 5  ページ： 635-639  発行年： 2012年02月10日 
JST資料番号： B0026B  ISSN： 1559-128X  CODEN： APOPAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 波長の異なるフェムト秒レーザパルスで製作された表面微細構造化シリコンの発展の相違を,照射レーザエネルギーの関数として実験的に研究した。この結果,シリコン材料で吸収されたレーザエネルギーが同じである場合,波長の短いレーザパルスでは,表面微細構造化シリコンがより少ないレーザエネルギーで作れるが,スパイク高さは波長の長いレーザパルスに比べて非常に低いことが分かった。これはレーザパルスの侵入深度がレーザ波長の増加で指数関数的に増大するからであった。さらに,波長の特定された二つのレーザパルスと吸収効率の特定されてシリコンにおいて,スパイク高さと照射レーザエネルギーとの比例関係を決定した。特に,800nmのレーザパルスのエネルギーが400nmのレーザパルスに比べて8倍大きい場合,平均スパイク高さは3倍であった。これらの結果は,微細構造化シリコンの高速で最適な形態調製での利点であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *パルスレーザ照射 ,  *レーザ加工 ,  パルスレーザ ,  レーザパルス ,  微細構造 ,  指数関数 ,  ケイ素 ,  構造形成 ,  表面性状 ,  波長依存性 ,  フェムト秒レーザ
準シソーラス用語： 吸収効率 ,  構造化

分類 (2件)： レーザの応用  (BD04100V) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 波長 ,  フェムト秒レーザパルス ,  製作 ,  表面微細構造 ,  シリコン ,  発展 ,  相違