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J-GLOBAL ID：201202226442036590   整理番号：12A0524622

MOVPEによるc面サファイア基板上のInGaN系LEDsからの740nm発光

740-nm emission from InGaN-based LEDs on c-plane sapphire substrates by MOVPE

著者 (5件)： OHKAWA Kazuhiro (Dep. of Applied Physics, Fac. of Sci., Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  WATANABE Tomomasa (Dep. of Applied Physics, Fac. of Sci., Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  SAKAMOTO Masanori (Dep. of Applied Physics, Fac. of Sci., Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  HIRAKO Akira (Dep. of Applied Physics, Fac. of Sci., Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN) ,  DEURA Momoko (Dep. of Applied Physics, Fac. of Sci., Tokyo Univ. of Sci., 1-3 Kagurazaka, Shinjuku-ku, Tokyo 162-8601, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 343  号： 1  ページ： 13-16  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタキシーによってc面サファイア基板上に成長したInGaN系発光ダイオードからの深紅色発光を初めて実現した。連続電流注入によるピーク波長は,半値全幅が広いにもかかわらず,740nmであった。サセプタとそれと対立する反応炉壁の距離が短くなるほど,インジウム混入が促進され,その結果として,ガス温度の増加をもたらした。さらに,量子井戸数が高くなるほど,InGaN井戸層の応力緩和をもたらし,このようにして,インジウム混入が促進した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  基板 ,  サファイア ,  インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *発光ダイオード ,  エレクトロルミネセンス ,  赤色光
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： MOVPE ,  サファイア基板 ,  InGaN