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J-GLOBAL ID：201202227188814990   整理番号：12A0022116

SiC半導体パワーデバイスの車載実用化の展望

著者 (1件)： 鶴田和弘 (デンソー)
資料名： DENSO Technical Review  (DENSO Technical Review)
巻： 16  ページ： 90-95  発行年： 2011年12月15日 
JST資料番号： L3836A  ISSN： 1342-4114  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC(シリコンカーバイト)デバイスは従来のSiデバイスに比べ,2~3倍の電流密度の動作,200°C以上の高温動作が可能であり,インバータなどパワーエレクトロニクスシステムの高出力密度化を可能とするものと期待されている。ハイブリッド車や電気自動車へ搭載するには,信頼性の向上と低コスト化の両立が必要である。また,実装,放熱,高耐熱材料技術においても高温動作が可能なSiCに対応した新しい技術が求められると思われる。本稿ではこうしたSiCパワーデバイスの現状と課題,実用化への展望について述べた。

シソーラス用語： *ハイブリッド自動車 ,  *電気自動車 ,  *炭化ケイ素 ,  *半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  実用化 ,  インバータ ,  MOSFET
準シソーラス用語： *パワーデバイス

分類 (2件)： 電装品  (QG03070C) ,  電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (10件)：

• 1)財団法人新機能素子研究開発協会平成15年度NEDO調査研究報告書「SiC半導体/デバイス事業化・普及戦略に係わる調査研究」平成16年3月
• 2)日産自動車2008.9.5プレスリリース資料
• 3)ローム2008.9.11プレスリリース資料
• 4)三菱電機2009.2.18プレスリリース資料
• 5) S. Ryu et al, "Performance, Reliability, and Robustness of 4H-SiC Power DMOSFETs", Proceedings of ICSCRM 2009, 15 October 2009, Nurnberg, Germany

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  パワーデバイス ,  車載 ,  実用化 ,  展望