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J-GLOBAL ID:201202227249433057   整理番号:12A1485853

2μW~50μWの負荷範囲での効率が90%以上の40nm CMOSにおける0.45V入力オンチップゲートブースト(OGB)バックコンバータ

A 0.45-V Input On-Chip Gate Boosted (OGB) Buck Converter in 40-nm CMOS with More Than 90% Efficiency in Load Range from 2μW to 50μW
著者 (8件):
資料名:
巻: 2012  ページ: 194-195  発行年: 2012年 
JST資料番号: W0767A  ISSN: 2158-5601  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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40nm CMOSによるクロックゲートディジタルPWM制御器による0.45V入力,0.4V出力オンチップゲートブースト(OGB)バックコンバータで,40μW以下の出力電力を扱うための高効率を達成した。PWM制御器の遅延線のダイ-ダイ遅延変動を補償するために,対数ストレス電圧方式による線形遅延トリミングを提案した。
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分類 (1件):
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電力変換器 
タイトルに関連する用語 (2件):
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