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J-GLOBAL ID：201202227300106317   整理番号：12A0610984

Gd,Dy,およびCe添加溶液製膜ZrO₂の抵抗スイッチ特性

Resistive switching characteristics of solution-deposited Gd, Dy, and Ce-doped ZrO₂ films

著者 (4件)： SOO LEE Myung (School of Advanced Materials Sci. and Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  CHOI Sungho (School of Advanced Materials Sci. and Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  AN Chee-hong (School of Advanced Materials Sci. and Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  KIM Hyoungsub (School of Advanced Materials Sci. and Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 14  ページ： 143504-143504-4  発行年： 2012年04月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる価数を有する希土類元素(Gd,Dy,およびCe)を溶液合成ZrO₂薄膜に添加し,その抵抗記憶特性を酸素空孔および膜の微細構造に関連付けて検討した。純粋な,および3価イオン添加したZrO₂薄膜はフォーミング工程が不要な振る舞いを示した。おそらく生来または添加物誘起による大量な酸素空孔がそれぞれあるからであろう。それに対して,3価Ceイオンを添加した膜は,フォーミング工程が必要であり,安定した長期スイッチング特性と比較的大きなメモリ窓が得られた。これは,添加物により結晶化/高密度化の効果が高まり,余分な酸素空孔が生じなかったためと考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *酸化ジルコニウム ,  セリウム ,  回路部品 ,  空格子点 ,  泡立ち ,  希土類元素化合物 ,  *添加物効果 ,  溶液成長 ,  薄膜成長 ,  電気抵抗 ,  ガドリニウム ,  ジスプロシウム ,  誘電体薄膜 ,  *スイッチング
準シソーラス用語： フォーミング ,  希土類化合物 ,  酸素空孔 ,  抵抗記憶素子 ,  *抵抗変化型メモリ ,  二酸化ジルコニウム

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Gd ,  Dy ,  Ce ,  溶液製膜 ,  ZrO2 ,  スイッチ特性