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J-GLOBAL ID：201202227458428451   整理番号：12A0955254

a-Si:H吸収体を用いた基板太陽電池用ナノ素子アレイ構造の検討

Exploration of nano-element array architectures for substrate solar cells using an a-Si:H absorber

著者 (4件)： JUN NAM Wook (Solarity LLC, 200 Innovation Blvd., State Coll., Pennsylvania 16803, USA) ,  JI Liming (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  VARADAN Vasundara V. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  FONASH Stephen J. (Solarity LLC, 200 Innovation Blvd., State Coll., Pennsylvania 16803, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 12  ページ： 123103-123103-6  発行年： 2012年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板太陽電池の光および光キャリア収集管理のためのAgアレイおよび透明伝導性酸化物(TCO)ナノ素子アレイを含む構造体について,数値的に詳細に検討し,比較した。TCOナノ素子を有するいくつかの構造体は,報告したAgアレイの最善のものよりも優れた動作をすることが分かった。すなわち,(1)J_SCは200nmプレーナa-Si:H制御構造の場合より少なくとも57%増加,(2)7mg/W以下の吸収体利用率を達成,そして,(3)わずか224nmの最長収集長であった。これらの素子の光トラッピング増大の原因は,フォトニック効果であった。計算はa-Si:Hについて行ったが,その際の洞察は他の吸収材にも等しく適用可能であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,  *アモルファスシリコン ,  ケイ素 ,  水素 ,  金属 ,  銀 ,  *太陽電池 ,  ナノ構造 ,  物質 ,  固体素子 ,  *アレイ ,  構造体 ,  性能 ,  吸収体 ,  比率 ,  収集 ,  距離 ,  電流密度 ,  度 ,  波長 ,  間隔 ,  依存性 ,  光トラッピング ,  増加 ,  電場 ,  搬送波 ,  数値計算 ,  比較 ,  Maxwell方程式 ,  近似法 ,  信号解析 ,  技術 ,  吸光度
準シソーラス用語： ナノ素子 ,  プラズモニクス ,  光キャリア ,  時間領域法 ,  有限要素近似 ,  利用率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 吸収体 ,  太陽電池 ,  素子アレイ