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J-GLOBAL ID：201202227620261817   整理番号：12A1515492

シリコンナノワイヤにおける可同調性中赤外局在化表面プラズモン共鳴

Tunable Mid-Infrared Localized Surface Plasmon Resonances in Silicon Nanowires

著者 (4件)： CHOU Li-Wei (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  SHIN Naechul (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  SIVARAM Saujan V. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  FILLER Michael A. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 134  号： 39  ページ： 16155-16158  発行年： 2012年10月03日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸気-液体-固体(VLS)技法を経由して合成したシリコンナノワイヤ中にリンドーピングから生じた強い中赤外吸収モードを観測し,系統的に同調した。VLS成長はナノワイヤ伸長が伴う初期インキュベーション段階を含む二段階過程を経由して進めた。両面研磨後真空蒸着したAu触媒薄膜を有するSi(111)基板上で成長するナノワイヤに対してSi₂H₆がSi原子を供給し,所望の時PCl₃をドーピングした。このスペクトル吸収の特徴の角度依存と形状依存性はその場透過赤外分光法を経由して縦方向局在化表面プラズモン共鳴(LSPR)としてその帰属を支持した。ナノワイヤ長(135~1160nm)を変えることによって共鳴周波数変調(740~1620/cm)を伴った。観測した周波数シフトはMie-Gans理論と因果関係にあった。そこでは,10¹⁹~10²⁰/cm³の電気的活性ドーパント濃度を指示した。この知見はこの偏在的半導体に光明を集中して非伝統的プラズモン材料の光学的性質を工学する新しい機会を示唆した。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  性質 ,  *局所性 ,  赤外線 ,  *プラズマ共鳴 ,  VLS成長 ,  ジシラン ,  塩化リン ,  ドーピング ,  紫外可視吸収スペクトル ,  赤外吸収スペクトル ,  その場観察 ,  角度依存性 ,  スペクトル線形 ,  共振周波数 ,  周波数シフト ,  因果律 ,  濃度依存性 ,  固体論 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： Drude理論 ,  Mie理論 ,  シリコンナノワイヤ ,  因果関係 ,  可同調性 ,  共鳴周波数 ,  形状依存性 ,  中赤外線 ,  表面プラズモン共鳴 ,  品質因子

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンナノワイヤ ,  可同調性 ,  局在化 ,  表面プラズモン共鳴